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1.5V Drive Nch MOSFET
RUQ050N02
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Features
1) Low On-resistance.
2) Space saving, small surface mount package (TSMT6).
3) 1.5V drive
? Applications
Switching
? Packaging specifications
? Dimensions (Unit : mm)
TSMT6
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : XG
? Inner circuit
Type
Package
Code
Taping
TR
(6)
(5)
(4)
RUQ050N02
Basic ordering unit (pieces)
3000
? 2
? 1
(1) Drain
(2) Drain
(1)
(2)
(3)
(3) Gate
(4) Source
? Absolute maximum ratings (Ta=25 ? C)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Drain
(6) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
20
± 10
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 5.0
± 10
1.0
10
A
A
A
A
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
1.25
150
? 55 to + 150
W
°C
°C
? 1 Pw 10 μ s, Duty cycle 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
? Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
100
Unit
°C/W
? Mounted on a ceramic board
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/4
2010.08 - Rev.A
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